1. 水汽有个简洁的经验式
对所有真空金属（不锈钢、铜、铝、钛），室温水汽出气率约 q = 3×10⁻⁹/t（小时），单位 mbar·L/(s·cm²)。抽气时间乘 10，出气率与压力都降一个数量级。推论两条：抽不下去多抽几小时不是玄学；洗完必须马上抽真空，表面水层一旦重新吸饱，前面抽掉的时间就白费。
2. 烘烤解决水汽，解决不了氢
不锈钢抽气 10 h 后实测（Torr·L/(s·cm²)）：H₂O 2×10⁻¹⁰ → 1×10⁻¹⁴（压 4 个数量级）；CO 5×10⁻¹² → 1×10⁻¹⁴；H₂ 7×10⁻¹² → 5×10⁻¹³，只压 1 个数量级，且烘完稳定不动。氢要靠真空退火或长时间抽气——选工艺路线最容易搞错的就是这一条。
3. 烘烤温度按材料定
铜、铝 150–200 ℃ × 24 h 即够，氢出气率降到 <10⁻¹³；不锈钢要 >200 ℃ 甚至 300 ℃，几毫米厚钢腔需反复多次烘烤；在位烘烤对金属 >120 ℃、≥12 h 有效，常规 150–250 ℃ × 24 h，主要去处是水汽；Viton 上限约 200 ℃，超温会永久变形或分解，反而变成污染源。这就是铝腔体好烘、钢腔体难烘的原因。
4. 烘烤结束的三条判据
压力在设定温度下不再下降；降温后压力回落到目标值；残余气体谱里 18（H₂O）峰降到 28（CO/N₂）峰以下。前两条看表，第三条必须上 RGA。没有 RGA 就说烘好了，是猜。
5. 清洗是三层，不是一次擦
① 去油脂、指纹、松散颗粒：溶剂、碱性洗涤剂、超声；② 去氧化层与污染膜：酸洗、电抛或化学抛光；③ 去损伤层：需专门工艺（真空退火、离子轰击）。只做①不做③是国产腔体最常见的短板：表面看着干净，损伤层里的氢和杂质在抽真空后慢慢释放，压力卡在 10⁻⁷ 量级上不去，烘烤也救不回来。一次裸手接触的指纹，其出气量可以抵消几小时烘烤。
6. 一个 O-ring 值两个数量级
烘烤过的全金属系统，分子泵极限压力 10⁻¹⁰–10⁻¹¹ mbar；只要有一处弹性体密封，极限就掉到 10⁻⁸ 量级。这就是超高真空必须全金属、CF 刀口的定量依据。
7. 颗粒门槛先看是哪一年的数
ITRS 2003（FEP Table 70a）：关键颗粒直径 2003 年 50 nm / 59 颗每片、2005 年 40 nm / 97 颗、2007 年 32.5 nm / 80 颗、2009 年 25 nm / 68 颗；关键 GOI 表面金属 ≤0.5×10¹⁰ atoms/cm²，其他关键表面金属 ≤1×10¹⁰，表面碳 1.8×10¹³，可动离子 1.8×10¹⁰。这是 2003 版路线图，当代更严，价值在单位、量级和定义形式，不能当现行标准引用。
8. 反直觉：传片机构比腔体更脏
ITRS 2003 Table 109a（defects/m²，54 nm 折算）：Plasma etch 1049、CVD insulator 854、Metal PVD 591、Wet bench 474、CMP clean 397，而 wafer handling 只有 33，到 2009 年降到 6。机器人、升降销、门阀比腔体本身更容易带进颗粒——颗粒控制只盯内壁，方向就错了。
9. 4 Å 和 Ra 0.1 µm 不是一回事
ITRS 要求晶圆表面 LVGX RMS 4 Å（≈0.4 nm）；国产电抛常见 Ra 0.1–0.2 µm（行业经验值）。两者差两个数量级，定义也不同（RMS vs Ra）。别把电抛 Ra 直接对标晶圆级要求，也别因内壁 Ra 高就断言颗粒超标——中间还隔着气流、流场与传片机构。
10. 可以照着做的四条纪律
洗干净立即抽真空，不在车间过夜；烘烤按材料定温度，别让 Viton 超过 200 ℃；烘烤结束看三条判据，其中一条必须是 RGA 的 18/28 峰对比；需要时加辉光放电清洗去表面残留污染物。清洁不是动作，是带判据的流程；动作做完没有判据，等于没做。
出气与颗粒是两件事：出气看表面化学，颗粒看流场与运动部件。两件事都要判据，判据都要能复现。
常见问题
腔体洗完还是抽不下去，先查什么？
先区分出气与漏。水汽出气率按 3×10⁻⁹/t（小时）衰减，清洗后表面水层若已重新吸饱，之前抽的时间就白费了。
烘烤能解决多少问题？
250 ℃ × 24 h 可把水汽压 4 个数量级（2×10⁻¹⁰ → 1×10⁻¹⁴），但氢只压 1 个数量级，氢要靠真空退火或长时间抽气。
颗粒要求怎么换算到每片晶圆？
用关键颗粒直径与允许缺陷数折算：ITRS 2003 给出的量级是 25–50 nm 对应 59–97 颗/片，现行门槛更严，以客户规范为准。